中金公司研报认为 ，在AI算力走向高密度、连续满载 、强瞬态冲击之后 ，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向 。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年 。SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级 ，SiC有望统领机房侧（灰区）应用 ，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰 、白区分界线形成“SiC左 ，GaN向右 ”的市场格局 ，共同受益于数据中心电源方案迭代。中国企业已在SiC/GaN领域实现深度布局，竞争力持续提升 ，未来中国第三代化合物半导体产业链公司有望较大幅度受益于数据中心高压架构的渗透 。
（文章来源：中国证券报·中证金牛座）
中金公司研报认为，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后 ，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年 。SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰...
中金公司研报认为，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后 ，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年 。SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰...
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中金公司研报认为，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后 ，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年 。SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰...
